磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及难熔金属硅化物等多种薄膜。广泛应用于半导体集成电路、电力、电子、光电子及MEMS等行业的生产工艺中。

■  设备主要特点

◆ 对工艺时间、温度、气体流量、阀门动作、反应室压力实现自动控制。                                     

◆ 采用进口压力控制系统，闭环控制，稳定性强。                                                    

◆ 采用进口耐腐蚀不锈钢管件、阀门，确保气路气密性。           

◆ 具有完善的报警功能及安全互锁装置。

◆ 具有良好的人机界面，灵活的工艺性能。  

■  主要技术指标

◆ 适用硅片尺寸：4~6 "                                                         

◆ 工作温度范围：350~1000℃                    

◆ 恒温长度及精度：760mm±1℃                                        

◆ 温度梯度：0~30℃可调             

◆ 系统极限真空度：0.8 Pa                                                   

◆ 工作压力范围：30Pa~133Pa可调         

◆ 淀积膜种类： Si³N⁴片内  ＜±3%  片间  ＜±3%  批间  ＜±3%

◆ 淀积膜均匀性：Poiy-Si  片内  ＜±3%  片间  ＜±3%  批间  ＜±3%

◆ 淀积膜均匀性：SiO₂  片内  ＜±3%